ALD前驅體
半導體、能源、光學
ALD前驅體簡介
在晶圓上制造芯片需要經過上百個工序，主要的工藝步驟包括光刻、刻蝕、摻雜、薄膜沉積等往復循環。薄膜沉積工藝中ALD技術即原子層沉積(AtomicLayerDeposition)是精細制程、深溝槽和立體結構中必選的工藝。ALD所需的前驅體多為MO源（金屬有機源）產品，一般要求純度達到99.9999%以上，雜質濃度達ppb級別以內，工藝復雜，需要超高的金屬有機合成和高純度提純的能力，代表著行業最高科研能力。
ALD在半導體應用
隨著泛半導體行業的發展，對微型化和集成化要求越來越高，尺寸縮小至亞微米和納米量級，ALD作為一種高精度薄膜沉積技術，可用于晶體管柵極電介質層(高K材料)、金屬柵電極、有機發光顯示器涂層、銅互聯擴散阻擋層、DRAM電介質層、微流體和MEMS涂層、傳感器等眾多領域。
DRAM存儲
ALD在能源領域應用
2009年，Miyaska課題組將鈣鈦礦材料MAPbI3用作燃料敏化太陽能電池的光伏活性層，正式開啟了鈣鈦礦太陽能電池的新紀元。ALD憑借其均勻成膜性、精準控制厚度和保形性等多種優勢，在光伏領域中發揮著重要作用。除此之外，ALD技術還可用于鋰電池薄膜涂層，提高電池性能。
鈣鈦礦電池
應用：電子傳輸層、鈍化保護層
優勢：低溫工藝、均勻成膜性、臺階覆蓋率好
作用：阻隔鈣鈦礦與電極擴散、阻隔空氣、傳輸電子
鋰電池
應用：電極涂層
優勢：保形性、無孔隙、精準控制厚度
作用：延長鋰離子電池壽命、提高產品安全性
ALD在光學領域應用
由于 ALD 具有的三維共形沉積和大面積均勻性特點，已成功應用于高質量光學薄膜、增透膜、折射率可調的光學薄膜、波狀多層膜，改善了光子晶體的光學性質和可控性，增加了光子晶體在未來光學器件中的應用潛力。
公司研發生產能力
在半導體領域，公司主要致力于高純半導體薄膜 （ALD、CVD）前驅體材料的自主研發和生產，成立以來，已陸續向多家半導體客戶提供了百余種前驅體新材料，包括高純硅基前驅體系列、High-k前驅體系列等產品，部分新品已被客戶用于5nm以下制程薄膜制備。 公司致力為客戶提供優質的產品并建立互信、長久的合作關系，產品具有自主知識產權且原材料國產化，打破國外壟斷的同時保證供應鏈的安全。敦茂新材料愿與國內芯片、高端顯示、光伏新能源等高端客戶一起攜手，解決高端半導體材料的卡脖子難題，早日實現進口替代。
產品索引
前驅體用途索引
| SiN層 | 高介電常數前驅體（High-K） | 低介電常數前驅體（Low-k） | 銅互連層 | 鈣鈦礦光伏電池 |
|---|---|---|---|---|
| DIS | TDMAH | BDEAS | CCTBA | TDMASn |
| TEMAH | BTBAS | PDMAT | PbI2 | |
| TDMAT | 3DMAS | CpCo(CO)2 | PbBr2 | |
| TDMAZ | Ru(EtCp)2 | |||
| TEMAZ | ||||
| Cp-Zr | ||||
| Cp-Hf |
前驅體元素索引
| 硅 Si | 鉿 Hf | 鋯 Zr | 鈦 Ti | 鈷 Co | 鉭 Ta | 釕 Ru | 鉑 Pt |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DIS | TDMAH | TDMAZ | TDMAT | CCTBA | PDMAT | Ru(EtCp)2 | (MeCp)PtMe3 |
| BDEAS | TEMAH | TEMAZ | TiCl4 | CpCo(CO)2 | |||
| BTBAS | Cp-Hf | Cp-Zr | |||||
| 3DMAS |
